Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S4T0 4 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung

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Disque SSD Samsung 4To NVMe Gen4 M.2 - 990 EVO Plus

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Version NVMe
2.0
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)
4 To
Facteur de forme SSD
M.2
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Oui
Type de mémoire
V-NAND TLC
composant pour
PC
Le chiffrement matériel
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture
7250 Mo/s
Vitesse d'écriture
6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
1050000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1400000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h

Puissance

Tension de fonctionnement
3,3 V
Consommation électrique (Lecture)
5,5 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,8 W
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)
5 mW

Poids et dimensions

Largeur
80,2 mm
Profondeur
2,38 mm
Hauteur
80,2 mm
Poids
9 g

Informations sur l'emballage

Largeur du colis
148 mm
Profondeur du colis
100 mm
Hauteur du colis
22 mm
Poids du paquet
70 g

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement
1500 G

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