Disque SSD Interne Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW 2 To Noir

Disque SSD Interne Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW 2 To Noir

Samsung

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Version NVMe
2.0
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)
2 To
Facteur de forme SSD
M.2
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Oui
Type de mémoire
V-NAND TLC
composant pour
PC
Le chiffrement matériel
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture
5000 Mo/s
Vitesse d'écriture
4200 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
700000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
800000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Révision CEM PCI Express
4.0
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Classe TBW
1200

Puissance

Tension de fonctionnement
3,3 V
Consommation électrique (Lecture)
5,5 W
Consommation électrique (Ecriture)
4,7 W
Consommation d 'énergie (en mode veille)
0,005 W
Consommation électrique (idle)
0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)
5 mW

Poids et dimensions

Largeur
80 mm
Profondeur
2,38 mm
Hauteur
22 mm
Poids
9 g

Informations sur l'emballage

Type d'emballage
Boîte

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 70 °C
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95%
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Vibrations hors fonctionnement
20 G
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Choc hors fonctionnement
1500 G

Autres caractéristiques

Période de garantie
5 année(s)

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