Kingston Technology ValueRAM module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go DDR3L

Name: Kingston Technology ValueRAM module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go DDR3L
Brand: Kingston FURY
SKU: 01j9cgs6g7m1ve2exzxak12e7m

Kingston FURY

Évaluations: 4.7/5 (3)

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<div> <span style="font-size:16px;"><strong>kvr16ls11/4</strong></span></div> <div> <strong>4gb 1rx8 512m x 64-bit pc3l-12800 cl11 204-pin sodimm</strong></div> <div> </div> <div> valueram's 512m x 64-bit (4gb) ddr3l-1600 cl11 sdram (synchronous dram) 1rx8 low voltage memory module based on eight 512m x 8-bit fbga components. the spd is programmed to jedec standard latency ddr3-1600 timing of 11-11-11 at 1.35v or 1.5v. this</div> <div> 204-pin sodimm uses gold contact fingers.</div> <div> </div> <div> </div> <div> </div> <div> <u><strong>features</strong></u></div> <div> </div> <div> • jedec standard 1.35v (1.28v ~ 1.45v) and 1.5v (1.425v ~ 1.575v) power supply</div> <div> • vddq = 1.35v (1.28v ~ 1.45v) and 1.5v (1.425v ~ 1.575v)</div> <div> • 800mhz fck for 1600mb/sec/pin</div> <div> • 8 independent internal bank</div> <div> • programmable cas latency: 11 10 9 8 7 6</div> <div> • programmable additive latency: 0 cl - 2 or cl - 1 clock</div> <div> • 8-bit pre-fetch</div> <div> • burst length: 8 (interleave without any limit sequential with starting address “000” only) 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs]</div> <div> • bi-directional differential data strobe</div> <div> • internal(self) calibration : internal self calibration through zq pin (rzq : 240 ohm ± 1%)</div> <div> • on die termination using odt pin</div> <div> • average refresh period 7.8us at lower than tcase 85°c 3.9us at 85°c < tcase < 95°c</div> <div> • asynchronous reset</div> <div> • pcb: height 1.18” (30mm) double sided component</div>

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Latence CAS: 11
Mémoire interne: 4 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 4 Go
Type de mémoire interne: DDR3L
Débit de transfert des données de mémoire: 1600 MT/s
composant pour: Ordinateur portable
Support de mémoire: 204-pin SO-DIMM
ECC: Non
Mémoire Bus: 64 bit
Type de mémoire mise en cache: Unregistered (unbuffered)
Mémoire de tension: 1.35,1.5 V
Configuration de module: 512M X 64
Temps du cycle de la ligne (TRC): 48,125 ns
Refresh row cycle time (TRFC): 260 ns
Rayon de temps actif: 35 ns
Placage en plomb: Or

Conditions environnementales

Température d'opération: 0 - 85 °C
Température hors fonctionnement: -55 - 100 °C

Poids et dimensions

Largeur: 67,6 mm
Hauteur: 30 mm

Données logistiques

Code du système harmonisé: 84733020

Autres caractéristiques

Organisation des puces: X8
Pays d'origine: Taïwan
Fréquence d'horloge de bus: 1600 MHz
Indicateur d'erreurs: Non
Disposition de la mémoire: 1 x 4096 Mo
Mémoire interne: 4096 Mo