Samsung SSD Interne 990 NVMe™ PCIe® 4.0 1To

Samsung SSD Interne 990 NVMe™ PCIe® 4.0 1To

Samsung

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Disque SSD Samsung 1To M.2 NVMe Gen4 - 990#

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Caractéristiques techniques

Caractéristiques

Version NVMe
2.0
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES, TCG Opal 2.0
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1 To
Facteur de forme SSD
M.2
Interface
PCI Express 4.0
NVMe
Oui
Type de mémoire
V-NAND
composant pour
PC
Le chiffrement matériel
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture
7150 Mo/s
Vitesse d'écriture
6450 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
700000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
1100000 IOPS
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Révision CEM PCI Express
4.0
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h

Puissance

Tension de fonctionnement
3,3 V
Consommation électrique (Lecture)
4 W
Consommation électrique (Ecriture)
3,7 W
Consommation électrique (idle)
0,055 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)
3 mW

Poids et dimensions

Largeur
80,2 mm
Profondeur
2,38 mm
Hauteur
22,1 mm

Informations sur l'emballage

Type d'emballage
Boîte

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement
1500 G

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