Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP53-6 SOT-223 PNP

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret BCP53-6 SOT-223 PNP BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, PNPTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 1000 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 2 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 500 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMDGehäuse: SOT-223Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 80 VDC Kollektorstrom - IC: 1000 mAPolarität - pol: PNPSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 2.000 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 40VCE: 2 VIC: 150 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mVIC: 500 mAIB: 50 mATransitfrequenz - ft: 120 MHzIC: 10 mAVCE: 5 Vf: 100 MHz