Diotec Transistor (BJT) - diskret BC818-40 SOT-23 NPN

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC818-40 SOT-23 NPN BJT, SOT-23, 25V, 800mA, NPNTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 400 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 25 V · Leistung (max) P(TOT): 0.31 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 50 MHz · VCE Sättigung (max.): 700 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMDGehäuse: SOT-23Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 25 VDC Kollektorstrom - IC: 800 mAPolarität - pol: NPNSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.310 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 400VCE: 1 VIC: 100 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mVIC: 500 mAIB: 50 mATransitfrequenz - ft: 100 MHzIC: 10 mAVCE: 5 Vf: 50 MHz