Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856C-AQ SOT-23 PNP

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret BC856C-AQ SOT-23 PNP BJT, SOT-23, 65V, 100mA, PNPTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 520 · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 65 V · Leistung (max) P(TOT): 0.25 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 650 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMDGehäuse: SOT-23Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 65 VDC Kollektorstrom - IC: 100 mAPolarität - pol: PNPSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 0.250 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 520VCE: 5 VIC: 2 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 650 mVIC: 100 mAIB: 5 mATransitfrequenz - ft: 100 MHzIC: 10 mAVCE: 5 Vf: 100 MHz