Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP

Diotec

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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP BJT, DPAK, -50V, -5000mA, PNPTechnische Daten: Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5000 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252AA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -50 V · Leistung (max) P(TOT): 5 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 1 MHz · VCE Sättigung (max.): 400 mV · Weitere technische Daten: Typ: SMDGehäuse: TO-252AA/D-PAKKollektor Emitter Spannung - VCEO: -50 VDC Kollektorstrom - IC: -5000 mAPolarität - pol: PNPSperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °CVerlustleistung - Ptot: 5.000 WKollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150VCE: -1 VIC: -1000 mAKollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 400 mVIC: -3 mAIB: -150 mATransitfrequenz - ft: 60 MHzIC: -1 mAVCE: -4 Vf: 1 MHz