Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360mW TO-236-3

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Infineon Technologies BSS83P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3 Kleinsignal-TransistorTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 78 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 330 mA · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 3.57 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 2 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 330 mA · Serie (Halbleiter): SIPMOS® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 80 µA · U(GS)(th) max.: 2 V