Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 170W D2PAK
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Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 170 W D2PAK INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): -100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · I(d): -38 A · Leistung (max) P(TOT): 170 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.06 Ω
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