Infineon Technologies IRF640NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 150W D2PAK
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Infineon Technologies IRF640NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 150 W D2PAK INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 200 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · I(d): 18 A · Leistung (max) P(TOT): 150 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.15 Ω
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