Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0W SO-8

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Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal,P-Kanal 2.0 W SO-8 INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal,P-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · I(d): 4.7 A · Leistung (max) P(TOT): 2.0 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.17 Ω