Infineon Technologies IRF7853PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.5W SO-8
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Infineon Technologies IRF7853PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.5 W SO-8 INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · I(d): 8.3 A · Leistung (max) P(TOT): 2.5 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.018 Ω
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