Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0W SO-8
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Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8 INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 30 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · I(d): 9.7 A · Leistung (max) P(TOT): 2.0 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.0155 Ω
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