Infineon Technologies Irfb3006pbf Mosfet 1 Canale N 375 W To-220ab

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Dettagli tecnici C(ISS) 8970 pF C(ISS) Tensione riferimento 50 V Caratteristiche (transistor) Canale N Caratteristiche Transistor Standard Case (semiconduttori) TO-220AB I(d) 195 A Metodo di montaggio Foro passante Numero canali 1 Potenza (max) P(TOT) 375 W Q(G) 300 nC Q(G) Tensione di riferimento 10 V R(DS)(on) 2.5 mΩ R(DS)(on) Corrente di riferimento 170 A R(DS)(on) Tensione di riferimento 10 V Serie (semiconduttori) HEXFET® Sigla produttore (componenti) INF Temperatura d'esercizio (min.) (n.) -55 °C Temperatura di esercizio (max.) +175 °C Tensione di interruzione U(BR) (DSS) 60 V U(DSS) 60 V U(GS)(th) Corrente di riferimento max. 250 µA U(GS)(th) max. 4 V Requisiti di sistema null