Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-252AA
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Infineon Technologies IRFR5305PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-252AA INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFRTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): -55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252AA · I(d): -31 A · Leistung (max) P(TOT): 110 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.065 Ω
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