Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BFR93AE6327HTSA1 SOT-23 NPN Tape on Full reel

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BFR93AE6327HTSA1 SOT-23 NPN Tape on Full reelSMD-HF-Kleinleistungstransistoren bis 11Technische Daten: Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 0.09 A · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 70 µA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 12 V · Leistung (max) P(TOT): 0.3 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 6 GHz · Verpackungsart (Bauteile): Tape on Full reel