Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBT2907A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cut

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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBT2907A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Tape cutNF-TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · Kollektor Reststrom I(CES): -10 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -60 V · Leistung (max) P(TOT): 330 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 200 MHz · VCE Sättigung (max.): -1.6 V · Verpackungsart (Bauteile): Tape cut