ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 P-Kanal 800mW SOT-23-6

ON Semiconductor

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ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 P-Kanal 800 mW SOT-23-6 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 20 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1926 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-6 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 5.5 A · Leistung (max) P(TOT): 800 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 30 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on): 33 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 5.5 A · Serie (Halbleiter): PowerTrench® · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 20 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 1.5 V