ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET 1 N-Kanal 312.5W TO-220-3

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ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET 1 N-Kanal 312.5 W TO-220-3 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 500 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 3200 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 22 A · Leistung (max) P(TOT): 312.5 W · Montageart: Durchführungsloch · Q(G): 65 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 220 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 11 A · Serie (Halbleiter): UniFET™ · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 500 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 5 V