On Semiconductor Fqp47p06 Mosfet 1 Canale P 160 W To-220-3

ON Semiconductor

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Dettagli tecnici C(ISS) 3600 pF C(ISS) Tensione riferimento 25 V Caratteristiche (transistor) Canale P Caratteristiche Transistor Standard Case (semiconduttori) TO-220-3 I(d) 47 A Metodo di montaggio Foro passante Numero canali 1 Potenza (max) P(TOT) 160 W Q(G) 110 nC Q(G) Tensione di riferimento 10 V R(DS)(on) 26 mΩ R(DS)(on) Corrente di riferimento 23.5 A R(DS)(on) Tensione di riferimento 10 V Serie (semiconduttori) QFET® Sigla produttore (componenti) OnS Temperatura d'esercizio (min.) (n.) -55 °C Temperatura di esercizio (max.) +175 °C Tensione di interruzione U(BR) (DSS) 60 V U(DSS) 60 V U(GS)(th) Corrente di riferimento max. 250 µA U(GS)(th) max. 4 V