On Semiconductor  Fqp8n80c, 1x -02050002649187

On Semiconductor Fqp8n80c, 1x -02050002649187

ON Semiconductor

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Dettagli tecnici C(ISS) 2050 pF C(ISS) Tensione riferimento 25 V Caratteristiche (transistor) Canale N Caratteristiche Transistor Standard Case (semiconduttori) TO-220-3 I(d) 8 A Metodo di montaggio Foro passante Numero canali 1 Potenza (max) P(TOT) 178 W Q(G) 45 nC Q(G) Tensione di riferimento 10 V R(DS)(on) 1.55 Ω R(DS)(on) Corrente di riferimento 4 A R(DS)(on) Tensione di riferimento 10 V Serie (semiconduttori) QFET® Sigla produttore (componenti) OnS Temperatura d'esercizio (min.) (n.) -55 °C Temperatura di esercizio (max.) +150 °C Tensione di interruzione U(BR) (DSS) 800 V U(DSS) 800 V U(GS)(th) Corrente di riferimento max. 250 µA U(GS)(th) max. 5 V

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