ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) SS9018HBU TO-226-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
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ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) SS9018HBU TO-226-3 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 97 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-226-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 15 V · Leistung (max) P(TOT): 400 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 1.1 GHz · VCE Sättigung (max.): 500 mV
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