ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13910STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13910STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 500 mV
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