ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33740BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33740BU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 625 mW · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 700 mV
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