ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD241CTU TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD241CTU TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 300 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V · Leistung (max) P(TOT): 40 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 1.2 V
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