ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

ON Semiconductor

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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MMBT2222A SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 10 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 40 V · Leistung (max) P(TOT): 350 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 300 MHz · VCE Sättigung (max.): 1 V