ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-LeistungstransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -80 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 1.5 MHz · VCE Sättigung (max.): -1.1 V