Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung

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SAMSUNG 990 EVO Plus Disco fisso, 4 TB SSD M.2 via NVMe, Interno Mz-V9S4T0Bw 990 EVO Plus Nvme M.2 4TB

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Specifiche tecniche

Caratteristiche

Versione di NVMe
2.0
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Capacità SSD
4 TB
Dimensione SSD
M.2
Interfaccia
PCI Express 4.0
NVMe
Sì
Tipo memoria
V-NAND TLC
Componente per
PC
criptaggio hardware
Sì
Dimensioni dell'unità SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura
7250 MB/s
Velocità di scrittura
6300 MB/s
Lettura casuale (4KB)
1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)
1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)
Sì
Supporto S.M.A.R.T.
Sì
Supporto TRIM
Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h

Gestione energetica

Tensione di esercizio
3,3 V
Consumo di energia (in lettura)
5,5 W
Consumo di energia (in scrittura)
4,8 W
Consumo energetico (inattivo)
0,06 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)
5 mW

Dimensioni e peso

Larghezza
80,2 mm
Profondità
2,38 mm
Altezza
80,2 mm
Peso
9 g

Dati su imballaggio

Larghezza imballo
148 mm
Profondità imballo
100 mm
Altezza imballo
22 mm
Peso dell'imballo
70 g

Condizioni ambientali

Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Shock di funzionamento
1500 G

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