Spp20n60c3 Mosfet 1 Canale N 208 W To-220 - Infineon Technologies

INFINEON TECHNOLOGIES

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Descrizione generale Il MOSFET Infineon Technologies SPP20N60C3 è un transistor a canale N progettato per applicazioni ad alta potenza. Con un design robusto e una potenza massima di 208 W, è ideale per circuiti di commutazione e amplificazione. Specifiche tecniche Tipo: MOSFET a canale N Case: TO-220 Corrente massima (I(d)): 20.70 A Numero di canali: 1 Potenza massima (P(TOT)): 208 W Resistenza (R(DS)(on)): 0.19 Ω Tensione di interruzione (U(BR)(DSS)): 650 V