STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington

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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Bipolar-Standard-LeistungstransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 750 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V · Leistung (max) P(TOT): 60 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 2 V