STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN

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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD239C TO-220 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 300 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V · Leistung (max) P(TOT): 2 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 700 mV