STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD912 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP

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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD912 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 PNP TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -15 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): -1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -100 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 3 MHz · VCE Sättigung (max.): -3 V