STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDW93C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington

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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDW93C TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 750 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V · Leistung (max) P(TOT): 80 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): 3 V