Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0W SOIC-8 Tape on Full reel

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Vishay SI4559ADY-T1-GE3 MOSFET 2 N-Kanal,P-Kanal 2.0 W SOIC-8 Tape on Full reelVishay SMD-Leistungs-MOSFETs SI_Y-GE3 SOTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal,P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): 150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-8 · I(d): 5.3 A · Leistung (max) P(TOT): 2.0 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 0.15 Ω · Verpackungsart (Bauteile): Tape on Full reel